Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > SPP12N50C3

SPP12N50C3

INFNS14197-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 47987
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPP12N50C3

  • MOSFET, N COOLMOS TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:11.6A
  • On State Resistance:0.38ohm
  • Case Style:TO-220 (SOT-78B)
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Cont Current Id @ 25`C:11.6A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Power Dissipation Ptot:125W
  • Max Voltage Vds:800V
  • Max Voltage Vgs th:3.9V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:34.8A
  • Voltage Vds:800V
  • Transistor Case Style:TO-220

Інші пропозиції SPP12N50C3 за ціною від 81.51 грн до 81.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPP12N50C3 SPP12N50C3 Infineon Technologies INFNS14197-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP12N50C3 INF INFNS14197-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description 07+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP12N50C3 description INFNS14197-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP12N50C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
267+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP12N50C3 description INFNS14197-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INF
07+;
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.