Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPP12N50C3XKSA1
SPP12N50C3XKSA1

SPP12N50C3XKSA1 Infineon Technologies

SPx12N50C3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 10179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
219+100.57 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPP12N50C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER_LEGACY, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPP12N50C3XKSA1 за ціною від 85.00 грн до 85.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPP12N50C3XKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS SPx12N50C3.pdf Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP12N50C3XKSA1 - SPP12N50 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER M
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
257+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 257
В кошику  од. на суму  грн.
SPP12N50C3XKSA1 SPP12N50C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies spp_i_a12n50c3_rev.3.1.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP12N50C3XKSA1 SPP12N50C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies SPx12N50C3.pdf Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP12N50C3XKSA1 SPP12N50C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A12N50C3-DS-v03_01-en-1732167.pdf MOSFET N-Ch 560V 11.6A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.