Технічний опис SPP15N60C3 INFINEON
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3-1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPP15N60C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SPP15N60C3 | Виробник : INFINEON |
 |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
SPP15N60C3 Код товару: 100727
Додати до обраних
Обраний товар
|
8542 39 90 00 |
товару немає в наявності
|
|||
 |
SPP15N60C3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
SPP15N60C3 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 15A TO220-3 CoolMOS C3 |
товару немає в наявності |