SPP17N80C3
Код товару: 34777
Виробник: Корпус: PG-TO220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
Монтаж: THT
у наявності 15 шт:
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 95.00 грн |
| 10+ | 89.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP17N80C3
- MOSFET, N, COOLMOS, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Current Id:17A
- Max Voltage Vds:800V
- On State Resistance:0.29ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:20V
- Power Dissipation:208W
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- Transistor Case Style:TO-220
- No. of Pins:3
- SVHC:Cobalt dichloride
- Case Style:TO-220
- Cont Current Id:17A
- Cont Current Id @ 25`C:17A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max Power Dissipation Ptot:208W
- Max Voltage Vgs th:3.9V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:208W
- Pulse Current Idm:51A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:800V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Voltage Vds:800V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції SPP17N80C3 за ціною від 90.26 грн до 255.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPP17N80C3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPP17N80C3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPP17N80C3 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|