SPP17N80C3
Код товару: 34777
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Корпус: PG-TO220
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2300/88
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP17N80C3
- MOSFET, N, COOLMOS, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Current Id:17A
- Max Voltage Vds:800V
- On State Resistance:0.29ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:20V
- Power Dissipation:208W
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- Transistor Case Style:TO-220
- No. of Pins:3
- SVHC:Cobalt dichloride
- Case Style:TO-220
- Cont Current Id:17A
- Cont Current Id @ 25`C:17A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max Power Dissipation Ptot:208W
- Max Voltage Vgs th:3.9V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:208W
- Pulse Current Idm:51A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:800V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Voltage Vds:800V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції SPP17N80C3 за ціною від 97.28 грн до 147.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPP17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Power dissipation: 208W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 11A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 |
на замовлення 485 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| SPP17N80C3 | ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 147.22 грн |
| 10+ | 122.44 грн |
| 50+ | 108.19 грн |
| 100+ | 97.28 грн |
З цим товаром купують
| MBR20200CT JSMicro Код товару: 193203
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JSMicro
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотна напруга Vrrm, В: 200 В
Прямий струм (per leg) If, А: 20 А
Падіння напруги Vf, В: 0,9 В
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 200 А
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотна напруга Vrrm, В: 200 В
Прямий струм (per leg) If, А: 20 А
Падіння напруги Vf, В: 0,9 В
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 200 А
у наявності: 349 шт
- 278 шт - склад
- 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 17.00 грн |
| 10+ | 15.30 грн |
| 100+ | 13.80 грн |
| UC3845BD1R2G Код товару: 188094
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 50 кГц
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 50 кГц
у наявності: 134 шт
- 97 шт - склад
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 24 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| MBR40250TG Код товару: 39133
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотна напруга Vrrm, В: 250 В
Прямий струм (per leg) If, А: 40 А
Падіння напруги Vf, В: 0,86 В
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 150 А
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотна напруга Vrrm, В: 250 В
Прямий струм (per leg) If, А: 40 А
Падіння напруги Vf, В: 0,86 В
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 150 А
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 88.50 грн |
| 10+ | 79.20 грн |
| 100+ | 71.60 грн |
| UC3845BN Код товару: 4328
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 8,2...30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: -40...+150°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 8,2...30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: -40...+150°С
у наявності: 316 шт
- 265 шт - склад
- 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 18.00 грн |
| 100+ | 16.20 грн |







