Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPP18P06PHXKSA1
SPP18P06PHXKSA1

SPP18P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

SPP18P06PHXKSA1-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
Power dissipation: 81.1W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+135.13 грн
5+94.73 грн
10+84.76 грн
25+73.12 грн
50+65.65 грн
100+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPP18P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - SPP18P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 81.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.

Інші пропозиції SPP18P06PHXKSA1 за ціною від 38.33 грн до 155.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPP18P06PHXKSA1 SPP18P06PHXKSA1 Infineon Technologies SPP18P06P+H_Rev1.91.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115d6a107c41454&fileId=db3a304325afd6e001264bac716c0c95 Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.33 грн
50+72.57 грн
100+65.04 грн
500+48.63 грн
1000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP18P06PHXKSA1 SPP18P06PHXKSA1 INFINEON INFN-S-A0000148974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPP18P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 81.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP18P06PHXKSA1 Infineon SPP18P06P+H_Rev1.91.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115d6a107c41454&fileId=db3a304325afd6e001264bac716c0c95 P-MOSFET 18.7A 60V 81.1W 0.13Ω SPP18P06P TSPP18p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP18P06PHXKSA1 SPP18P06P+H_Rev1.91.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115d6a107c41454&fileId=db3a304325afd6e001264bac716c0c95
SPP18P06PHXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+155.33 грн
50+72.57 грн
100+65.04 грн
500+48.63 грн
1000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP18P06PHXKSA1 INFN-S-A0000148974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPP18P06PHXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP18P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 81.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP18P06PHXKSA1 SPP18P06P+H_Rev1.91.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115d6a107c41454&fileId=db3a304325afd6e001264bac716c0c95
Виробник: Infineon
P-MOSFET 18.7A 60V 81.1W 0.13Ω SPP18P06P TSPP18p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.