SPP18P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 81.1W
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 136.48 грн |
| 5+ | 95.68 грн |
| 10+ | 85.60 грн |
| 25+ | 73.86 грн |
| 50+ | 66.30 грн |
| 100+ | 59.59 грн |
| 500+ | 48.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP18P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - SPP18P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 81.1W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SPP18P06PHXKSA1 за ціною від 38.14 грн до 166.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPP18P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SPP18P06PHXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP18P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 81.1W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SPP18P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon |
P-MOSFET 18.7A 60V 81.1W 0.13Ω SPP18P06P TSPP18p06p кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|