SPP18P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 81.1W
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 134.83 грн |
| 5+ | 94.52 грн |
| 10+ | 84.57 грн |
| 25+ | 72.96 грн |
| 50+ | 65.50 грн |
| 100+ | 58.87 грн |
| 500+ | 48.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP18P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SPP18P06PHXKSA1 за ціною від 38.24 грн до 151.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPP18P06PHXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SPP18P06PHXKSA1 | Infineon |
P-MOSFET 18.7A 60V 81.1W 0.13Ω SPP18P06P TSPP18p06pкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| SPP18P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 151.11 грн |
| 50+ | 70.38 грн |
| 100+ | 63.08 грн |
| 500+ | 47.16 грн |
| 1000+ | 43.29 грн |
| SPP18P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
P-MOSFET 18.7A 60V 81.1W 0.13Ω SPP18P06P TSPP18p06p
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 18.7A 60V 81.1W 0.13Ω SPP18P06P TSPP18p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 38.24 грн |



