SPP18P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


SPP18P06PHXKSA1-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 81.1W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+134.83 грн
5+94.52 грн
10+84.57 грн
25+72.96 грн
50+65.50 грн
100+58.87 грн
500+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPP18P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SPP18P06PHXKSA1 за ціною від 38.24 грн до 151.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPP18P06PHXKSA1 SPP18P06PHXKSA1 Infineon Technologies SPP18P06P+H_Rev1.91.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115d6a107c41454&fileId=db3a304325afd6e001264bac716c0c95 Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.11 грн
50+70.38 грн
100+63.08 грн
500+47.16 грн
1000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP18P06PHXKSA1 Infineon SPP18P06P+H_Rev1.91.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115d6a107c41454&fileId=db3a304325afd6e001264bac716c0c95 P-MOSFET 18.7A 60V 81.1W 0.13Ω SPP18P06P TSPP18p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP18P06PHXKSA1 SPP18P06P+H_Rev1.91.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115d6a107c41454&fileId=db3a304325afd6e001264bac716c0c95
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.11 грн
50+70.38 грн
100+63.08 грн
500+47.16 грн
1000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP18P06PHXKSA1 SPP18P06P+H_Rev1.91.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115d6a107c41454&fileId=db3a304325afd6e001264bac716c0c95
Виробник: Infineon
P-MOSFET 18.7A 60V 81.1W 0.13Ω SPP18P06P TSPP18p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.