SPP18P06PHXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP18P06PHXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP18P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 81.1W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SPP18P06PHXKSA1 за ціною від 33.76 грн до 156.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPP18P06PHXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3 Drain-source voltage: -60V Drain current: -18.7A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 81.1W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SPP18P06PHXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3 Drain-source voltage: -60V Drain current: -18.7A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 81.1W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SPP18P06PHXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP18P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 81.1W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SPP18P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SPP18P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon |
P-MOSFET 18.7A 60V 81.1W 0.13Ω SPP18P06P TSPP18p06p кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|