Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > SPP20N65C3XKSA1

SPP20N65C3XKSA1

Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07
Код товару: 144577
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SPP20N65C3XKSA1 за ціною від 112.24 грн до 372.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SPP20N65C3XKSA1 SPP20N65C3XKSA1 INFINEON Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07 Description: INFINEON - SPP20N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.14 грн
10+175.15 грн
100+159.53 грн
500+112.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3XKSA1 SPP20N65C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07 Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.23 грн
50+177.22 грн
100+161.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3XKSA1 SPP20N65C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.50 грн
10+191.29 грн
100+150.83 грн
500+125.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3XKSA1 Infineon Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07 Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP20N65C3HKSA1 SPP20N65C3XKSA1 TSPP20n65c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+216.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3XKSA1 Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07
SPP20N65C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP20N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+337.14 грн
10+175.15 грн
100+159.53 грн
500+112.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3XKSA1 Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07
SPP20N65C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+355.23 грн
50+177.22 грн
100+161.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3XKSA1 Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf
SPP20N65C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+372.50 грн
10+191.29 грн
100+150.83 грн
500+125.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3XKSA1 Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP20N65C3HKSA1 SPP20N65C3XKSA1 TSPP20n65c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+216.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.