SPP20N65C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 168+ | 185.51 грн |
| 500+ | 175.14 грн |
| 1000+ | 165.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP20N65C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP20N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SPP20N65C3XKSA1 за ціною від 118.29 грн до 358.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPP20N65C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPP20N65C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPP20N65C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SPP20N65C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SPP20N65C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP20N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SPP20N65C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3 |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SPP20N65C3XKSA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP20N65C3HKSA1 SPP20N65C3XKSA1 TSPP20n65c3 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
SPP20N65C3XKSA1 Код товару: 144577
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
SPP20N65C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |