SPP20N65C3XKSA1
Код товару: 144577
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SPP20N65C3XKSA1 за ціною від 169.06 грн до 370.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3 |
на замовлення 389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SPP20N65C3XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPP20N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SPP20N65C3XKSA1 | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP20N65C3HKSA1 SPP20N65C3XKSA1 TSPP20n65c3кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| SPP20N65C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 168+ | 211.44 грн |
| 500+ | 199.63 грн |
| 1000+ | 189.00 грн |
| SPP20N65C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 339.60 грн |
| 43+ | 335.30 грн |
| 66+ | 217.20 грн |
| 67+ | 204.67 грн |
| 100+ | 185.19 грн |
| SPP20N65C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 345.49 грн |
| 10+ | 344.05 грн |
| 25+ | 204.64 грн |
| 50+ | 192.74 грн |
| 100+ | 176.18 грн |
| SPP20N65C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 370.45 грн |
| 50+ | 185.61 грн |
| 100+ | 169.06 грн |
| SPP20N65C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3
MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SPP20N65C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP20N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: INFINEON - SPP20N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SPP20N65C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP20N65C3HKSA1 SPP20N65C3XKSA1 TSPP20n65c3
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP20N65C3HKSA1 SPP20N65C3XKSA1 TSPP20n65c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 212.75 грн |





