SPP24N60C3XKSA1


SPP24N60C3_Rev.2.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e323b4975
Код товару: 192845
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SPP24N60C3XKSA1 за ціною від 185.37 грн до 428.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SPP24N60C3XKSA1 SPP24N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP24N60C3_DS_v02_05_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 24.3A TO220-3
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.43 грн
10+241.54 грн
100+191.01 грн
500+190.30 грн
1000+188.19 грн
2500+185.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3XKSA1 SPP24N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPP24N60C3_Rev.2.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e323b4975 Description: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3XKSA1 Infineon_SPP24N60C3_DS_v02_05_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 24.3A TO220-3
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+377.43 грн
10+241.54 грн
100+191.01 грн
500+190.30 грн
1000+188.19 грн
2500+185.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3XKSA1 SPP24N60C3_Rev.2.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e323b4975
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+428.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

22UF 63v K50-35
Код товару: 209540
Додати до обраних Обраний товар
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
10UF 63v K50-35
Код товару: 209539
Додати до обраних Обраний товар
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
220UF 25v K50-35
Код товару: 209538
Додати до обраних Обраний товар
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
47uF 25V RTZ 5x11mm (low esr) (RTZ1E470M0511-LEAGUER) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 180526
2 Додати до обраних Обраний товар
leaguer-rts_series-datasheet.pdf
Виробник: Leaguer
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: RTZ
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5x11mm
Строк життя: 4000 годин
у наявності: 755 шт
  • 438 шт - склад
  • 102 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 190 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
  • 50 шт - очікується
КількістьЦіна
10+2.00 грн
12+1.70 грн
100+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.