Інші пропозиції SPP80P06PHXKSA1 за ціною від 99.60 грн до 454.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPP80P06PHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -80A Power dissipation: 340W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V -80A TO220-3 |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPP80P06PHXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPP80P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | Infineon |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP80P06PHXKSA1 TSPP80p06phкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| SPP80P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 69+ | 206.90 грн |
| 70+ | 204.86 грн |
| 100+ | 193.06 грн |
| 500+ | 143.80 грн |
| 1000+ | 131.33 грн |
| SPP80P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 296.03 грн |
| 5+ | 214.65 грн |
| 10+ | 184.95 грн |
| 50+ | 142.53 грн |
| SPP80P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -80A TO220-3
MOSFETs P-Ch -60V -80A TO220-3
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 325.63 грн |
| 10+ | 164.54 грн |
| 100+ | 129.69 грн |
| 500+ | 106.43 грн |
| 1000+ | 103.61 грн |
| SPP80P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP80P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - SPP80P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 344.54 грн |
| 10+ | 176.79 грн |
| 100+ | 160.35 грн |
| SPP80P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 361.58 грн |
| 50+ | 178.61 грн |
| 100+ | 162.17 грн |
| 500+ | 125.14 грн |
| 1000+ | 116.45 грн |
| 2000+ | 109.15 грн |
| 5000+ | 99.60 грн |
| SPP80P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 452.51 грн |
| 50+ | 231.77 грн |
| SPP80P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 454.77 грн |
| 61+ | 232.94 грн |
| SPP80P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP80P06PHXKSA1 TSPP80p06ph
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP80P06PHXKSA1 TSPP80p06ph
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 145.01 грн |







