SPP80P06PHXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP80P06PHXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V, Power Dissipation (Max): 340W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPP80P06PHXKSA1 за ціною від 100.58 грн до 346.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V |
на замовлення 4094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -60V -80A TO220-3 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 221-230 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3 Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: -60V Drain current: -80A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 340W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP80P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3 Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: -60V Drain current: -80A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 340W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP80P06PHXKSA1 TSPP80p06ph кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
SPP80P06PHXKSA1 Код товару: 172970 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |