Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPS01N60C3

SPS01N60C3 Infineon Technologies

Name: SPS01N60C3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 41699673-3
Price: 22134 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 11W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V

на замовлення 43500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
775+	28.56 грн

Мінімальне замовлення: 775

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SPS01N60C3 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 11W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3-11, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPS01N60C3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SPS01N60C3	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 800mA IPAK-3 CoolMOS C3	на замовлення 838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SPS01N60C3			на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SPS01N60C3	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 11W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO251-3-11 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.