SPU02N60S5 Infineon Technologies
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 171.18 грн |
| 10+ | 151.77 грн |
| 100+ | 102.48 грн |
| 500+ | 84.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPU02N60S5 Infineon Technologies
Description: SPU02N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPU02N60S5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SPU02N60S5 |
 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SPU02N60S5 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SPU02N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |