Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPU03N60C3BKMA1
SPU03N60C3BKMA1

SPU03N60C3BKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

SP_03N60C3.pdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.75 грн
8+ 45.83 грн
20+ 40.03 грн
55+ 37.96 грн
500+ 36.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPU03N60C3BKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA, Supplier Device Package: PG-TO251-3-21, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPU03N60C3BKMA1 за ціною від 43.48 грн до 66.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SP_03N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+66.9 грн
5+ 57.11 грн
20+ 48.04 грн
55+ 45.55 грн
500+ 43.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 Виробник : Infineon Technologies 7117spd_u03n60c3_rev.2.5.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товар відсутній
SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD_U03N60C3_Rev.2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товар відсутній