SPW11N60S5 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 14461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 160+ | 126.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPW11N60S5 Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-21, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPW11N60S5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SPW11N60S5 | Виробник : INF |
TO-247 |
на замовлення 32640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SPW11N60S5 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |