SPW11N80C3FKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 256.56 грн |
| 10+ | 187.48 грн |
| 100+ | 119.23 грн |
| 500+ | 97.74 грн |
| 1000+ | 88.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPW11N80C3FKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SPW11N80C3FKSA1 за ціною від 91.01 грн до 298.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V |
на замовлення 1788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SPW11N80C3FKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SPW11N80C3FKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 287.83 грн |
| 30+ | 152.18 грн |
| 120+ | 124.60 грн |
| 510+ | 97.94 грн |
| 1020+ | 91.01 грн |
| SPW11N80C3FKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 298.49 грн |
| 10+ | 162.11 грн |
| 100+ | 114.89 грн |
| 480+ | 95.86 грн |
| 1200+ | 92.33 грн |