Технічний опис SPW17N80C3
- MOSFET, N, COOLMOS, TO-247
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:800V
- On State Resistance:0.29ohm
- Power Dissipation:208W
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- Transistor Case Style:TO-247
- No. of Pins:3
- SVHC:Cobalt dichloride
- Case Style:TO-247
- Cont Current Id:17A
- Cont Current Id @ 25`C:17A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max Power Dissipation Ptot:208W
- Max Voltage Vgs th:3.9V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:208W
- Pulse Current Idm:51A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:800V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Voltage Vds:800V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції SPW17N80C3 за ціною від 183.66 грн до 278.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPW17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 271 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
SPW17N80C3 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SPW17N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 278.17 грн |
| 3+ | 235.66 грн |
| 10+ | 200.44 грн |
| 30+ | 183.66 грн |
| SPW17N80C3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





