Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPW20N60C3
SPW20N60C3

SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C16093F72474A&compId=SPW20N60C3.pdf?ci_sign=afd7f24a2b3398c2d40ac67fa04a496e8428135d Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+351.55 грн
3+294.33 грн
4+246.17 грн
11+232.40 грн
30+228.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-21, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPW20N60C3 за ціною від 132.00 грн до 431.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPW20N60C3 SPW20N60C3 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C16093F72474A&compId=SPW20N60C3.pdf?ci_sign=afd7f24a2b3398c2d40ac67fa04a496e8428135d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+421.86 грн
3+366.78 грн
4+295.40 грн
11+278.89 грн
30+274.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 SPW20N60C3 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPW20N60C3_DS_v02_05_en-3360036.pdf MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.54 грн
10+402.59 грн
25+213.57 грн
100+176.87 грн
240+176.14 грн
480+154.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 TO-247 SPW20N60C3 TO-247
Код товару: 30183
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 20,7 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+132.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPW20N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e3702497f Description: SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.