Технічний опис SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPW20N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SPW20N60C3FKSA1 за ціною від 143.55 грн до 663.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPW20N60C3FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPW20N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 4273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 5064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPW20N60C3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 5064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SPW20N60C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 236.57 грн |
| SPW20N60C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 236.57 грн |
| SPW20N60C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW20N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - SPW20N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 353.59 грн |
| 10+ | 214.62 грн |
| 100+ | 181.73 грн |
| 500+ | 143.55 грн |
| SPW20N60C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 490.03 грн |
| 30+ | 266.20 грн |
| 120+ | 220.95 грн |
| 510+ | 176.22 грн |
| 1020+ | 164.86 грн |
| 2010+ | 155.50 грн |
| SPW20N60C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 658.05 грн |
| 30+ | 376.14 грн |
| 120+ | 310.69 грн |
| 510+ | 252.90 грн |
| 1020+ | 217.20 грн |
| 2010+ | 194.93 грн |
| SPW20N60C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 663.09 грн |
| 38+ | 379.02 грн |
| 120+ | 313.06 грн |
| 510+ | 254.84 грн |
| 1020+ | 218.87 грн |
| 2010+ | 196.42 грн |





