Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPW20N60CFDFKSA1
SPW20N60CFDFKSA1

SPW20N60CFDFKSA1 Infineon Technologies

SPW20N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c02c5464d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+201.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPW20N60CFDFKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPW20N60CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.3 A, 0.22 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPW20N60CFDFKSA1 за ціною від 237.19 грн до 283.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPW20N60CFDFKSA1 SPW20N60CFDFKSA1 Infineon Technologies spw20n60cfd_rev.2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+279.81 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60CFDFKSA1 SPW20N60CFDFKSA1 INFINEON INFNS16499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPW20N60CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.3 A, 0.22 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c02c5464d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 20.7A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 124nC
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+283.82 грн
120+237.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60CFDFKSA1 spw20n60cfd_rev.2.4.pdf
SPW20N60CFDFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
126+279.81 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60CFDFKSA1 INFNS16499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPW20N60CFDFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW20N60CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.3 A, 0.22 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60CFDFKSA1 SPW20N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c02c5464d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 20.7A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 124nC
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+283.82 грн
120+237.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.