SPW20N60S5FKSA1 Infineon
Виробник: Infineon
N-MOSFET 600V 2A 208W SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5 TSPW20n60s5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 422.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPW20N60S5FKSA1 Infineon
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPW20N60S5FKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 20 А, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3000 @ 25, Qg, нКл = 103 @ 10 В, Rds = 190 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 1 мA,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 240 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SPW20N60S5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
|
SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
| SPW20N60S5FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 20 А, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3000 @ 25, Qg, нКл = 103 @ 10 В, Rds = 190 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 1 мA,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 240 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 20 А, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3000 @ 25, Qg, нКл = 103 @ 10 В, Rds = 190 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5,5 В @ 1 мA,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPW20N60S5FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SPW20N60S5FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SPW20N60S5FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPW20N60S5FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPW20N60S5FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.




