Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SPW32N50C3FKSA1

SPW32N50C3FKSA1

SPW32N50C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d1edf480e
Код товару: 131640
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SPW32N50C3FKSA1 за ціною від 274.82 грн до 882.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1 Infineon Technologies infineonspw32n50c3dsv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+449.52 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW32N50C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d1edf480e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Power dissipation: 284W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+580.36 грн
4+302.05 грн
9+285.55 грн
240+274.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1 Infineon Technologies SPW32N50C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d1edf480e Description: MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.96 грн
30+377.79 грн
60+346.16 грн
120+299.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1 Infineon Technologies infineonspw32n50c3dsv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+882.30 грн
30+523.75 грн
120+440.82 грн
510+361.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1 INFINEON INFNS14369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 560V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 284W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 infineonspw32n50c3dsv0205en.pdf
SPW32N50C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+449.52 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d1edf480e
SPW32N50C3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Power dissipation: 284W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+580.36 грн
4+302.05 грн
9+285.55 грн
240+274.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d1edf480e
SPW32N50C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+667.96 грн
30+377.79 грн
60+346.16 грн
120+299.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 infineonspw32n50c3dsv0205en.pdf
SPW32N50C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+882.30 грн
30+523.75 грн
120+440.82 грн
510+361.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 INFNS14369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPW32N50C3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 560V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 284W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.