Інші пропозиції SPW32N50C3FKSA1 за ціною від 358.81 грн до 876.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 9396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SPW32N50C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 560V Drain current: 32A Power dissipation: 284W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 9396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SPW32N50C3FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 560V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 284W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SPW32N50C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 446.54 грн |
| SPW32N50C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Power dissipation: 284W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Power dissipation: 284W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 550.92 грн |
| 5+ | 443.58 грн |
| SPW32N50C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 876.44 грн |
| 30+ | 520.27 грн |
| 120+ | 437.89 грн |
| 510+ | 358.81 грн |
| SPW32N50C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





