Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPW35N60C3FKSA1
SPW35N60C3FKSA1

SPW35N60C3FKSA1 Infineon Technologies

spw35n60c3_rev.2.4.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+555.13 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPW35N60C3FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPW35N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34.6 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 313W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції SPW35N60C3FKSA1 за ціною від 356.66 грн до 901.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3FKSA1 Infineon Technologies spw35n60c3_rev.2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+555.13 грн
100+526.85 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3FKSA1 Infineon Technologies spw35n60c3_rev.2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+555.13 грн
100+526.85 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3FKSA1 Infineon Technologies SPW35N60C3_Rev%5B1%5D.2.5_PCN.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b Description: MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+736.94 грн
30+420.11 грн
120+356.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3FKSA1 Infineon Technologies spw35n60c3_rev.2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+901.46 грн
27+533.00 грн
50+508.89 грн
100+407.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3FKSA1 Infineon Technologies spw35n60c3_rev.2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+901.78 грн
10+538.57 грн
25+533.19 грн
50+509.08 грн
100+407.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPW35N60C3_DS_v02_05_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3FKSA1 INFINEON SPW35N60C3_Rev%5B1%5D.2.5_PCN.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b Description: INFINEON - SPW35N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34.6 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 spw35n60c3_rev.2.4.pdf
SPW35N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+555.13 грн
100+526.85 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 spw35n60c3_rev.2.4.pdf
SPW35N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+555.13 грн
100+526.85 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3_Rev%5B1%5D.2.5_PCN.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPW35N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+736.94 грн
30+420.11 грн
120+356.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 spw35n60c3_rev.2.4.pdf
SPW35N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+901.46 грн
27+533.00 грн
50+508.89 грн
100+407.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 spw35n60c3_rev.2.4.pdf
SPW35N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+901.78 грн
10+538.57 грн
25+533.19 грн
50+509.08 грн
100+407.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 Infineon_SPW35N60C3_DS_v02_05_en.pdf
SPW35N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3_Rev%5B1%5D.2.5_PCN.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPW35N60C3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW35N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34.6 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.