SPW35N60CFD Infineon Technologies
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 787.07 грн |
| 25+ | 455.32 грн |
| 100+ | 340.03 грн |
| 240+ | 338.48 грн |
| 480+ | 336.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPW35N60CFD Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 21.6A, Power dissipation: 313W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.118Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Kind of package: tube, Technology: CoolMOS™.
Інші пропозиції SPW35N60CFD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SPW35N60CFD | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21.6A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.118Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ |
товару немає в наявності |