Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPW35N60CFD
SPW35N60CFD

SPW35N60CFD Infineon Technologies

Infineon_SPW35N60CFD_DS_v01_03_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 34.1A TO247-3 CoolMOS CFD
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPW35N60CFD Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: PG-TO247-3, On-state resistance: 0.118Ω, Power dissipation: 313W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™, Drain current: 21.6A.

Інші пропозиції SPW35N60CFD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPW35N60CFD SPW35N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
On-state resistance: 0.118Ω
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 21.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFD SPW35N60CFD.pdf
SPW35N60CFD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
On-state resistance: 0.118Ω
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 21.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.