SPW35N60CFD Infineon Technologies
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 832.55 грн |
| 10+ | 736.05 грн |
| 25+ | 464.22 грн |
| 100+ | 395.80 грн |
| 240+ | 395.06 грн |
| 480+ | 383.29 грн |
| 5040+ | 378.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPW35N60CFD Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 21.6A, Power dissipation: 313W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.118Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SPW35N60CFD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SPW35N60CFD | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21.6A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.118Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
|
|
SPW35N60CFD | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21.6A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.118Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |