SPW35N60CFD Infineon Technologies
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 770.56 грн |
| 25+ | 440.52 грн |
| 100+ | 332.90 грн |
| 240+ | 330.62 грн |
| 480+ | 329.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPW35N60CFD Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 21.6A, Power dissipation: 313W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.118Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SPW35N60CFD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SPW35N60CFD | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21.6A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.118Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |