
SPW35N60CFDFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
240+ | 395.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPW35N60CFDFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPW35N60CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34.1 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SPW35N60CFDFKSA1 за ціною від 338.76 грн до 818.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPW35N60CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW35N60CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW35N60CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW35N60CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW35N60CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW35N60CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 21.6A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 25 V |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW35N60CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SPW35N60CFDFKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
SPW35N60CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
SPW35N60CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |