Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPW55N80C3FKSA1
SPW55N80C3FKSA1

SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies

Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7520 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+957.54 грн
30+564.19 грн
120+492.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 850V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPW55N80C3FKSA1 за ціною від 877.06 грн до 1791.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies spw55n80c3_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+996.00 грн
30+925.91 грн
120+907.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies spw55n80c3_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1005.58 грн
30+934.82 грн
120+915.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies spw55n80c3_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1791.25 грн
10+1463.44 грн
11+1393.19 грн
50+1112.00 грн
100+934.51 грн
200+877.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPW55N80C3_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 850V 54.9A TO247-3
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 INFINEON 1849675.pdf Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 spw55n80c3_2_0.pdf
SPW55N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+996.00 грн
30+925.91 грн
120+907.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 spw55n80c3_2_0.pdf
SPW55N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1005.58 грн
30+934.82 грн
120+915.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 spw55n80c3_2_0.pdf
SPW55N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1791.25 грн
10+1463.44 грн
11+1393.19 грн
50+1112.00 грн
100+934.51 грн
200+877.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 Infineon_SPW55N80C3_DS_v02_00_en.pdf
SPW55N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 850V 54.9A TO247-3
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 1849675.pdf
SPW55N80C3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.