Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPW55N80C3FKSA1
SPW55N80C3FKSA1

SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies

spw55n80c3_2_0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+866.99 грн
30+805.99 грн
120+789.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 850V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SPW55N80C3FKSA1 за ціною від 666.47 грн до 1544.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies spw55n80c3_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+920.07 грн
30+855.33 грн
120+838.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb Description: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7520 pF @ 100 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1097.50 грн
30+687.54 грн
120+666.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 850V 54.9A TO247-3
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1186.35 грн
10+686.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Виробник : INFINEON 1849675.pdf Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1275.48 грн
5+1054.89 грн
10+833.44 грн
50+767.53 грн
100+702.61 грн
250+698.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies spw55n80c3_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+1544.38 грн
10+1261.75 грн
11+1201.19 грн
50+958.75 грн
100+805.72 грн
200+756.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies spw55n80c3_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies spw55n80c3_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 850V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies spw55n80c3_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 34.7A; Idm: 150A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 34.7A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW55N80C3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 34.7A; Idm: 150A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 34.7A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.