SPZT651T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.29 грн |
| 10+ | 54.41 грн |
| 100+ | 36.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPZT651T1G onsemi
Description: ONSEMI - SPZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40, DC-Stromverstärkung hFE: 40, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 800, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 75, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SPZT651T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SPZT651T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS 60V XSTR NPN SPL |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SPZT651T1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS 60V XSTR NPN SPL
Bipolar Transistors - BJT SS 60V XSTR NPN SPL
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)