Продукція > ONSEMI > SPZT751T1G
SPZT751T1G

SPZT751T1G onsemi


pzt751t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 47000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+24.84 грн
2000+ 22.51 грн
5000+ 21.44 грн
10000+ 19.19 грн
25000+ 19.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPZT751T1G onsemi

Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 75MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції SPZT751T1G за ціною від 20.43 грн до 57.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPZT751T1G SPZT751T1G Виробник : onsemi PZT751T1_D-2320240.pdf Bipolar Transistors - BJT High Current PNP Bipolar Transistor
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.12 грн
10+ 40.15 грн
100+ 30.04 грн
500+ 27.64 грн
1000+ 22.77 грн
2000+ 21.43 грн
5000+ 20.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
SPZT751T1G SPZT751T1G Виробник : onsemi pzt751t1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 47835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.05 грн
10+ 44.51 грн
100+ 34.63 грн
500+ 27.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
SPZT751T1G Виробник : ON Semiconductor pzt751t1-d.pdf
на замовлення 9814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPZT751T1G SPZT751T1G Виробник : ON Semiconductor pzt751t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній