Продукція > ONSEMI > SPZT751T1G
SPZT751T1G

SPZT751T1G onsemi

pzt751t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 75MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+26.75 грн
2000+23.82 грн
3000+22.82 грн
5000+20.36 грн
7000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPZT751T1G onsemi

Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Frequency - Transition: 75MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SPZT751T1G за ціною від 21.37 грн до 78.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SPZT751T1G SPZT751T1G onsemi PZT751T1_D-2320240.pdf Bipolar Transistors - BJT High Current PNP Bipolar Transistor
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.89 грн
10+50.27 грн
100+34.08 грн
500+28.91 грн
1000+23.81 грн
2000+22.41 грн
5000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPZT751T1G SPZT751T1G onsemi pzt751t1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 75MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.56 грн
10+50.46 грн
100+35.01 грн
500+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPZT751T1G ON Semiconductor pzt751t1-d.pdf
на замовлення 9814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPZT751T1G PZT751T1_D-2320240.pdf
SPZT751T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT High Current PNP Bipolar Transistor
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+62.89 грн
10+50.27 грн
100+34.08 грн
500+28.91 грн
1000+23.81 грн
2000+22.41 грн
5000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPZT751T1G pzt751t1-d.pdf
SPZT751T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 75MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+78.56 грн
10+50.46 грн
100+35.01 грн
500+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPZT751T1G pzt751t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 9814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.