Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2301CES-T1_GE3
SQ2301CES-T1_GE3

SQ2301CES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2301ces.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.84 грн
9000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2301CES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ2301CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.

Інші пропозиції SQ2301CES-T1_GE3 за ціною від 8.13 грн до 43.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ2301CES-T1_GE3 SQ2301CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2301ces.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 11232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.68 грн
14+23.46 грн
50+17.04 грн
100+14.02 грн
500+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301CES-T1_GE3 SQ2301CES-T1_GE3 Vishay sq2301ces.pdf MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6780 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+43.01 грн
17+18.86 грн
100+14.45 грн
500+10.83 грн
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301CES-T1_GE3 SQ2301CES-T1_GE3 VISHAY sq2301ces.pdf Description: VISHAY - SQ2301CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301CES-T1_GE3 SQ2301CES-T1_GE3 VISHAY sq2301ces.pdf Description: VISHAY - SQ2301CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301CES-T1_GE3 sq2301ces.pdf
SQ2301CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 11232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.68 грн
14+23.46 грн
50+17.04 грн
100+14.02 грн
500+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301CES-T1_GE3 sq2301ces.pdf
SQ2301CES-T1_GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6780 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.01 грн
17+18.86 грн
100+14.45 грн
500+10.83 грн
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301CES-T1_GE3 sq2301ces.pdf
SQ2301CES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2301CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2301CES-T1_GE3 sq2301ces.pdf
SQ2301CES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2301CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.