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Технічний опис SQ2301CES-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ2301CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.
Інші пропозиції SQ2301CES-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SQ2301CES-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2301CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SQ2301CES-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2301CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQ2301CES-T1_GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2301CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: TrenchFET Series
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
Description: VISHAY - SQ2301CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQ2301CES-T1_GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2301CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Description: VISHAY - SQ2301CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



