Продукція > VISHAY > SQ2361CEES-T1_BE3
SQ2361CEES-T1_BE3

SQ2361CEES-T1_BE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.95 грн
500+17.06 грн
1000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2361CEES-T1_BE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQ2361CEES-T1_BE3 за ціною від 9.70 грн до 52.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2361CEES-T1_BE3 SQ2361CEES-T1_BE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.43 грн
26+34.40 грн
100+23.95 грн
500+17.06 грн
1000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.98 грн
12+32.14 грн
100+17.93 грн
500+13.74 грн
1000+12.58 грн
3000+10.64 грн
6000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1-BE3 Виробник : Vishay MOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.