Технічний опис SQ3985EV-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 3W; TSOP6, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -3.9A, Power dissipation: 3W, Case: TSOP6, On-state resistance: 0.13Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry.
Інші пропозиції SQ3985EV-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SQ3985EV-T1_GE3 | Vishay |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQ3985EV-T1_GE3 |
Виробник: Vishay
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)