SQ3985EV-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQ3985EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3.9 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C.