SQ3985EV-T1_GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.40 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ3985EV-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ3985EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3.9 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції SQ3985EV-T1_GE3 за ціною від 18.58 грн до 87.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ3985EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
на замовлення 8245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ3985EV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 110203 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ3985EV-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3985EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3.9 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQ3985EV-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 6TSOP
на замовлення 8245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 80.99 грн |
| 10+ | 49.10 грн |
| 50+ | 36.37 грн |
| 100+ | 30.24 грн |
| 500+ | 23.42 грн |
| SQ3985EV-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
MOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 110203 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.88 грн |
| 10+ | 40.37 грн |
| 100+ | 31.15 грн |
| 500+ | 24.06 грн |
| 1000+ | 23.62 грн |
| 3000+ | 18.94 грн |
| 6000+ | 18.58 грн |
| SQ3985EV-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3985EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - SQ3985EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)