SQ3985EV-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.38 грн |
| 10+ | 51.70 грн |
| 100+ | 29.56 грн |
| 500+ | 22.83 грн |
| 1000+ | 20.68 грн |
| 3000+ | 17.97 грн |
| 6000+ | 16.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ3985EV-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 3W; TSOP6, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -3.9A, Power dissipation: 3W, Case: TSOP6, On-state resistance: 0.13Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry.
Інші пропозиції SQ3985EV-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SQ3985EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SQ3985EV-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 3W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.9A Power dissipation: 3W Case: TSOP6 On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |