SQ4184EY-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4184EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 29 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 74.32 грн |
| 500+ | 55.07 грн |
| 1000+ | 50.42 грн |
| 5000+ | 50.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4184EY-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ4184EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 29 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.1W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SQ4184EY-T1_GE3 за ціною від 47.01 грн до 180.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ4184EY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4184EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 29 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ4184EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 29996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|