Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SQ4840CEY-T1_GE3

SQ4840CEY-T1_GE3 Vishay Semiconductors

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET Automotive N-Channel 40V 175C MOSFET 9mO 10V, 12mO 4.5V

на замовлення 4506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQ4840CEY-T1_GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SQ4840CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20.7 A, 0.0062 ohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.1W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQ4840CEY-T1_GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SQ4840CEY-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQ4840CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20.7 A, 0.0062 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	на замовлення 4692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

SQ4840CEY-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4840CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20.7 A, 0.0062 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.