SQ4840CEY-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4840CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20.7 A, 0.0062 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQ4840CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20.7 A, 0.0062 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 100.73 грн |
| 11+ | 83.04 грн |
| 100+ | 64.50 грн |
| 500+ | 46.61 грн |
| 1000+ | 36.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4840CEY-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ4840CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20.7 A, 0.0062 ohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.1W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQ4840CEY-T1_GE3 за ціною від 34.41 грн до 102.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4840CEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET Automotive N-Channel 40V 175C MOSFET 9mO 10V, 12mO 4.5V |
на замовлення 4506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|