SQ4937EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 130.96 грн |
| 10+ | 80.14 грн |
| 100+ | 53.78 грн |
| 500+ | 39.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4937EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.3W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ4937EY-T1_BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4937EY-T1_BE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V |
на замовлення 10853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQ4937EY-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V
MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V
на замовлення 10853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)