Продукція > VISHAY > SQ4940CEY-T1_GE3

SQ4940CEY-T1_GE3 VISHAY

VISH-S-A0020768754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQ4940CEY-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQ4940CEY-T1_GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SQ4940CEY-T1_GE3	Vishay / Siliconix	MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET	на замовлення 3054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	SQ4940CEY-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024)	на замовлення 4830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

SQ4940CEY-T1_GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3054 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ4940CEY-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.