SQ4946CEY-T1_BE3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 138.39 грн |
| 10+ | 83.92 грн |
| 100+ | 48.12 грн |
| 500+ | 37.76 грн |
| 1000+ | 32.28 грн |
| 2500+ | 24.32 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4946CEY-T1_BE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.04 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції SQ4946CEY-T1_BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
SQ4946CEY-T1_BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
SQ4946CEY-T1_BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 4W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQ4946CEY-T1_BE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SQ4946CEY-T1_BE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - SQ4946CEY-T1_BE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.



