Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQA310CEJW-T1_GE3
SQA310CEJW-T1_GE3

SQA310CEJW-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sqa310cejw.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5789 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.37 грн
10+30.75 грн
100+18.30 грн
500+13.93 грн
1000+12.30 грн
3000+11.19 грн
6000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQA310CEJW-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQA310CEJW-T1_GE3 за ціною від 14.65 грн до 53.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQA310CEJW-T1_GE3 SQA310CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa310cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.13 грн
10+31.90 грн
50+23.31 грн
100+19.26 грн
500+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA310CEJW-T1_GE3 SQA310CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa310cejw.pdf Description: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA310CEJW-T1_GE3 SQA310CEJW-T1_GE3 VISHAY sqa310cejw.pdf Description: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA310CEJW-T1_GE3 sqa310cejw.pdf
SQA310CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.13 грн
10+31.90 грн
50+23.31 грн
100+19.26 грн
500+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA310CEJW-T1_GE3 sqa310cejw.pdf
SQA310CEJW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA310CEJW-T1_GE3 sqa310cejw.pdf
SQA310CEJW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.