Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQA310CEJW-T1_GE3

SQA310CEJW-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 5789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQA310CEJW-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQA310CEJW-T1_GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SQA310CEJW-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн.
	SQA310CEJW-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн.

SQA310CEJW-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SQA310CEJW-T1_GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.