SQD50N04-5M6_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 180.11 грн |
| 10+ | 115.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQD50N04-5M6_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SQD50N04-5M6_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQD50N04-5m6_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|
 |
SQD50N04-5m6_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified |
товару немає в наявності |
|
|
|
SQD50N04-5M6-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3 |
товару немає в наявності |