| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.32 грн |
| 10+ | 72.40 грн |
| 100+ | 41.97 грн |
| 500+ | 34.44 грн |
| 1000+ | 31.17 грн |
| 3000+ | 26.43 грн |
| 6000+ | 25.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ118ELP-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJ118ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0192 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SQJ118ELP-T1_GE3 за ціною від 81.34 грн до 129.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ118ELP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ118ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0192 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|