Продукція > VISHAY > SQJ120ELP-T1_GE3
SQJ120ELP-T1_GE3

SQJ120ELP-T1_GE3 VISHAY

4425867.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ120ELP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 206A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 130W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm.

Інші пропозиції SQJ120ELP-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ120ELP-T1_GE3 SQJ120ELP-T1_GE3 Vishay MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120ELP-T1_GE3 SQJ120ELP-T1_GE3 VISHAY 4425867.pdf Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120ELP-T1_GE3
SQJ120ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120ELP-T1_GE3 4425867.pdf
SQJ120ELP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.