SQJ122ELP-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 49.03 грн |
| 500+ | 35.94 грн |
| 1000+ | 30.92 грн |
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Технічний опис SQJ122ELP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SQJ122ELP-T1_GE3 за ціною від 23.02 грн до 117.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
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SQJ122ELP-T1_GE3 | Виробник : Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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SQJ122ELP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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