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Технічний опис SQJ122ELP-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 60W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm.
Інші пропозиції SQJ122ELP-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SQJ122ELP-T1_GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 60W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQJ122ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 60W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQJ122ELP-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm
Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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| SQJ122ELP-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)