Продукція > VISHAY > SQJ140EP-T1_GE3
SQJ140EP-T1_GE3

SQJ140EP-T1_GE3 VISHAY

3164655.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ140EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 266A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJ140EP-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ140EP-T1_GE3 SQJ140EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 62630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140EP-T1_GE3 SQJ140EP-T1_GE3 VISHAY 3164655.pdf Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140EP-T1_GE3
SQJ140EP-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 62630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140EP-T1_GE3 3164655.pdf
SQJ140EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.