Продукція > VISHAY > SQJ140EP-T1_GE3
SQJ140EP-T1_GE3

SQJ140EP-T1_GE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.46 грн
500+45.21 грн
1000+38.72 грн
5000+34.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ140EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 266A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJ140EP-T1_GE3 за ціною від 34.30 грн до 126.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ140EP-T1_GE3 SQJ140EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+121.94 грн
10+93.60 грн
100+66.46 грн
500+45.21 грн
1000+38.72 грн
5000+34.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140EP-T1_GE3 SQJ140EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 62630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.82 грн
10+95.07 грн
100+61.47 грн
250+61.39 грн
500+48.84 грн
1000+44.32 грн
3000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.