на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.20 грн |
| 10+ | 62.52 грн |
| 100+ | 35.94 грн |
| 500+ | 29.59 грн |
| 1000+ | 26.41 грн |
| 3000+ | 22.38 грн |
| 6000+ | 21.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ146EP-T1_JE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJ146EP-T1_JE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SQJ146EP-T1_JE3 за ціною від 67.86 грн до 107.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ146EP-T1_JE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJ146EP-T1_JE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|