SQJ152EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.33 грн |
| 10+ | 53.15 грн |
| 100+ | 41.10 грн |
| 500+ | 32.25 грн |
| 3000+ | 25.67 грн |
| 9000+ | 22.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ152EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 66A; Idm: 189A, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 189A, Power dissipation: 136W, Gate charge: 27nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 66A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Application: automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® SO8, On-state resistance: 5.1mΩ.
Інші пропозиції SQJ152EP-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ152EP-T1_GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 66A; Idm: 189A Mounting: SMD Pulsed drain current: 189A Power dissipation: 136W Gate charge: 27nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 66A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 5.1mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQJ152EP-T1_GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 66A; Idm: 189A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 189A
Power dissipation: 136W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 5.1mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 66A; Idm: 189A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 189A
Power dissipation: 136W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 5.1mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.