Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQJ190ELP-T1_GE3
SQJ190ELP-T1_GE3

SQJ190ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix


Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.36 грн
10+53.49 грн
100+33.06 грн
500+32.18 грн
1000+20.70 грн
3000+16.31 грн
9000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ190ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQJ190ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJ190ELP-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ190ELP-T1_GE3 SQJ190ELP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0020332030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ190ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ190ELP-T1_GE3 SQJ190ELP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0020332030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ190ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ190ELP-T1_GE3 VISH-S-A0020332030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ190ELP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ190ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ190ELP-T1_GE3 VISH-S-A0020332030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJ190ELP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ190ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.