Продукція > VISHAY > SQJ200EP-T1_JE3
SQJ200EP-T1_JE3

SQJ200EP-T1_JE3 VISHAY

4332424.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ200EP-T1_JE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+61.32 грн
500+46.64 грн
1500+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ200EP-T1_JE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ200EP-T1_JE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 60 A, 3700 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції SQJ200EP-T1_JE3 за ціною від 40.30 грн до 145.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJ200EP-T1_JE3 SQJ200EP-T1_JE3 VISHAY 4332424.pdf Description: VISHAY - SQJ200EP-T1_JE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.45 грн
50+92.41 грн
100+61.32 грн
500+46.64 грн
1500+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_JE3 4332424.pdf
SQJ200EP-T1_JE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ200EP-T1_JE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+145.45 грн
50+92.41 грн
100+61.32 грн
500+46.64 грн
1500+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.