SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix


sqjb70ep-1766223.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3922 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB70EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 6.5A, Power dissipation: 9W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 95mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SQJB70EP-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJB70EP-T1_GE3 SQJB70EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjb70ep.pdf Automotive Dual N-Channel 100 V MOSFET
товар відсутній
SQJB70EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY SQJB70EP-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 9W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SQJB70EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY SQJB70EP-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 9W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній