Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 27783 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQJB70EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET x2, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 4nC, On-state resistance: 95mΩ, Drain current: 6.5A, Power dissipation: 9W, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 100V, Case: PowerPAK® SO8.

Інші пропозиції SQJB70EP-T1_GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SQJB70EP-T1_GE3	VISHAY	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 4nC On-state resistance: 95mΩ Drain current: 6.5A Power dissipation: 9W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Case: PowerPAK® SO8	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.