SQJQ146E-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 194.03 грн |
| 500+ | 150.02 грн |
| 1000+ | 122.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ146E-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 487A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQJQ146E-T1_GE3 за ціною від 122.77 грн до 352.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJQ146E-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ146E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 487 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 487A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|