Продукція > VISHAY > SQJQ186E-T1_GE3
SQJQ186E-T1_GE3

SQJQ186E-T1_GE3 VISHAY

3750963.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ186E-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 245A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 357W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Інші пропозиції SQJQ186E-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJQ186E-T1_GE3 SQJQ186E-T1_GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3 SQJQ186E-T1_GE3 VISHAY 3750963.pdf Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3
SQJQ186E-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3 3750963.pdf
SQJQ186E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.