Продукція > VISHAY > SQJQ186E-T1_GE3
SQJQ186E-T1_GE3

SQJQ186E-T1_GE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 0.0019 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+118.85 грн
500+92.22 грн
1000+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ186E-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 0.0019 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 245A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQJQ186E-T1_GE3 за ціною від 83.73 грн до 259.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ186E-T1_GE3 SQJQ186E-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFETs
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.74 грн
10+186.93 грн
100+131.34 грн
2000+113.20 грн
4000+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3 SQJQ186E-T1_GE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 0.0019 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+259.68 грн
10+163.62 грн
100+118.85 грн
500+92.22 грн
1000+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq186e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 245A Automotive AEC-Q101 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.