SQJQ510E-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 160.72 грн |
| 500+ | 129.84 грн |
| 1000+ | 117.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ510E-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 286A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 348W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm.
Інші пропозиції SQJQ510E-T1_GE3 за ціною від 111.59 грн до 341.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJQ510E-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SQJQ510E-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 286A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 348W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm |
на замовлення 1233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SQJQ510E-T1_GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 319.03 грн |
| 10+ | 208.33 грн |
| 100+ | 128.81 грн |
| 500+ | 119.85 грн |
| 2000+ | 111.59 грн |
| SQJQ510E-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
Description: VISHAY - SQJQ510E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 286 A, 1860 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 341.53 грн |
| 10+ | 225.81 грн |
| 100+ | 160.72 грн |
| 500+ | 129.84 грн |
| 1000+ | 117.79 грн |