Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SQJQ510ER-T1_GE3
SQJQ510ER-T1_GE3

SQJQ510ER-T1_GE3 Vishay Semiconductors


Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+326.99 грн
10+213.56 грн
100+131.86 грн
500+123.57 грн
2000+115.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ510ER-T1_GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SQJQ510ER-T1_GE3 за ціною від 263.37 грн до 396.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJQ510ER-T1_GE3 SQJQ510ER-T1_GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+396.26 грн
10+263.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ510ER-T1_GE3 SQJQ510ER-T1_GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ510ER-T1_GE3
SQJQ510ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+396.26 грн
10+263.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ510ER-T1_GE3
SQJQ510ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ510ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1860µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.