Продукція > VISHAY > SQJQ900E-T1_GE3
SQJQ900E-T1_GE3

SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY

VISH-S-A0009376952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+108.35 грн
500+86.99 грн
1000+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 75W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 75W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SQJQ900E-T1_GE3 за ціною від 77.51 грн до 238.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJQ900E-T1_GE3 SQJQ900E-T1_GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.70 грн
10+156.59 грн
100+111.03 грн
250+102.65 грн
500+92.87 грн
1000+79.60 грн
2000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3 SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0009376952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.69 грн
10+155.60 грн
100+108.35 грн
500+86.99 грн
1000+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3 SQJQ900E-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqjq900e-1764531.pdf MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3
SQJQ900E-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+194.70 грн
10+156.59 грн
100+111.03 грн
250+102.65 грн
500+92.87 грн
1000+79.60 грн
2000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3 VISH-S-A0009376952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJQ900E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+238.69 грн
10+155.60 грн
100+108.35 грн
500+86.99 грн
1000+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3 sqjq900e-1764531.pdf
SQJQ900E-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.