Продукція > VISHAY > SQJQ900E-T1_GE3
SQJQ900E-T1_GE3

SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.52 грн
500+95.79 грн
1000+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 75W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 75W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJQ900E-T1_GE3 за ціною від 76.40 грн до 205.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJQ900E-T1_GE3 SQJQ900E-T1_GE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.19 грн
10+163.41 грн
100+134.52 грн
500+95.79 грн
1000+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3 SQJQ900E-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.13 грн
10+164.98 грн
100+116.97 грн
250+108.15 грн
500+97.85 грн
1000+83.87 грн
2000+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3 SQJQ900E-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqjq900e-1764531.pdf MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3 Виробник : VISHAY SQJQ900E-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.