
SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 199.44 грн |
10+ | 161.99 грн |
100+ | 132.69 грн |
500+ | 92.98 грн |
1000+ | 73.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 75W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 75W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQJQ900E-T1_GE3 за ціною від 80.55 грн до 202.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQJQ900E-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQJQ900E-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SQJQ900E-T1_GE3 | Виробник : VISHAY | SQJQ900E-T1-GE3 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |