SQM40014EM_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQM40014EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 840 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 158.72 грн |
| 500+ | 143.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM40014EM_GE3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15525 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQM40014EM_GE3 за ціною від 143.92 грн до 232.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQM40014EM_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40014EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 840 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQM40014EM_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
SQM40014EM_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
SQM40014EM_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
SQM40014EM_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15525 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
SQM40014EM_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15525 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
SQM40014EM_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified |
товар відсутній |